氧化锌半导体材料因其无毒、成本低廉等优点，在光催化方面有广泛应用。但由于氧化锌为宽禁带(Eg=3.37eV)半导体材料，在室温下具有较大的激子束缚能(60meV)，而且光生电子与空穴极易复合，使得光量子利用率较低，难以取得满意的光催化效果。基于以上原因，可对氧化锌进行改性来提高氧化锌的光催化性能。目前的研究大多是通过掺杂金属离子、非金属，与其它物质复合抑制光生电子与空穴的复合，从而提高光催化性能。
有机胺类化合物在多种材料的制备过程中都作为改性剂出现。吴建锋采用聚丙烯酰胺调节并控制了目标晶体的形貌。李梅以辛胺为造孔剂，改变了纳米氧化锌的孔道分布。这些研究结果表明有机胺作为改性剂，可调节合成材料的微观结构。但其对催化剂光催化性能的影响并没有进行研究。
现有研究采用有机胺化合物对纳米氧化锌进行了改性，以紫外光照射下的甲基橙降解反应为研究对象，考察了有机胺的加入对氧化锌光催化性能的影响。
采用溶胶-凝胶法制备了有机胺改性的氧化锌光催化剂。在所考察的乙醇胺、二乙醇胺、二乙胺、三乙胺及柠檬酸胺中，二乙醇胺作为改性剂的效果最好。催化剂的制备条件，如改性剂的量、凝胶温度及时间、煅烧温度对氧化锌的光催化性能均有一定的影响。适宜的催化剂制备条件是:二乙醇胺的掺杂量为n(二乙醇胺)/n(氧化锌)为0.50，凝胶温度为80℃，凝胶老化时间1.5h，煅烧温度500℃。
下一步工作应该着眼于反应条件的优化及二乙醇胺对提高纳米氧化锌光催化性能机理方面的深入研究。(欣然)


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