变形带(deformation band):晶体均匀变形时产生的、取向不同的很薄带状区域。

变形带是平行的滑移面内异号刃型位错(见滑移)交互作用使晶体发生弯折所形成的。带中的晶格相对于周围晶体中未变形部分旋转了几度或几十度。当外部应力不超过临界切应力τc时，两个在平行滑移面上相向运动的异号刃型位错，将如图所示停留在彼此分开一定距离处。这些位错将阻止在其后面运动的其他位错而造成位错塞积，塞积位错将抑制在邻近面上位错的滑移并促使出现新的塞积，结果逐渐形成变形带，负刃型位错在带的一边，正刃型位错则处于另一边。

晶体经过变形，通过随后的表面抛光可以使滑移线消失，但即使经过反复抛光和腐蚀后仍可观察到变形带，因为变形带代表不同晶向的区域。单晶体中能够产生几毫米宽的变形带，但在多晶体试样中需用显微镜才能见到。变形期间由于晶界的阻碍，容易在一个晶粒内引起取向的不同，故而多晶体试样形成变形带的倾向更大。变形带一般呈不规则形状，但是它是沿主变形方向延伸的。带的轮廓一般模糊而不明显，表明取向差是渐渐消失的。已经在体心及面心立方晶格的金属中观察到变形带，但在密集六方晶格金属中尚未见到。

变形带与扭折带之间的主要差别是：在形成变形带的情况下位错运动在带外发生，带中的晶格保持原来的取向；而在形成扭折带的情况下，塑性变形和晶格的重新取向在带内发生。