镁合金具有密度低(1.74g/cm3)，而且其比强度和比刚度均超过其他金属，在汽车等轻量化技术研究开发中具有重要意义。但镁合金的耐腐蚀性能极差，在使用中必须进行表面处理。微弧氧化技术以其工艺稳定、设备简单、常温反应、无过程污染等优点而得到广泛的研究和应用，可直接在Mg、Ti、Al等金属表面原位生长一层致密且与基体有较强结合力的陶瓷膜，显著改善金属的耐磨性和耐腐蚀性，为新型陶瓷薄膜生长技术。此外，根据所选电解液的不同，可将不同的离子引入基体表面而起到改性作用。目前，已有文献报道在复合体系电解液中所制备的膜层的耐腐蚀性能最好，但关于在电解液中加入一些耐摩擦、耐腐蚀的粉末对膜层结构和性能有何影响，在国内外文献中鲜有报道。本文在硅酸盐体系的电解液中加入SiC粉末，研究SiC粉末对AZ91D镁合金微弧氧化膜层的显微结构及其耐腐蚀性能的影响。
本实验采用的材料为AZ91D镁合金。试样为圆饼状。试验前试样表面先用砂纸打磨，并依次用超声波去油(丙酮溶液)、去水(无水酒精)和去离子水清洗。微弧氧化试验采用自制电源(自行研制的MAO-300双极性脉冲微弧氧化电源)，最大输出功率220kW，最大输出电压500V，最大输出电流400A。实验系统包括微弧氧化电源、电解槽、搅拌系统，冷却系统等。电解液体系选为硅酸盐型，其主要成分及浓度为硅酸钠15g/L，氟化钾13g/L，氢氧化钠2g/L，丙三醇12mL/L，SiC粉末5g/L(纯度≥98.5%，平均粒径＜5μm)。实验采用恒压模式控制，电流密度10～20A/dm2，电解液温度20～50℃，氧化时间30～60min。在硅酸盐体系电解液中加入SiC粉末所制备得微弧氧化膜，表面上的微孔减少且膜层变得致密。加入SiC粉末后微弧氧化膜层的相成分主要由SiC、MgO和Mg2SiO4等相组成，膜层的物相成分中出现了SiC相。与未加SiC粉末所制备的膜层相比，加入SiC粉末后所制备微弧氧化膜层的腐蚀电流下降了3个数量级，因而具有较好的耐腐蚀性能。(榕霖)

备注：数据仅供参考，不作为投资依据。