可控硅中频电源基本信息

中文名称	可控硅中频电源	流程	交流→直流→交流
领域	物理	特点	串、并联谐振

可控硅中频电源工作原理

把三相工频交流电源经过三相桥式整流，变为可调的直流电源，再经电抗滤波，

滤波后输至单相逆变桥，经脉冲控制，使单相桥对角线交替开关成为单相1000赫兹的中频电流，谐振回路由感应线圈和补偿电容组成，

将电流送到感应圈，而使感应器中的金属炉料产生中频涡流，炉料随之加热乃至熔化

可控硅中频电源造价信息

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可控硅中频电源数字触发器

数字触发器的特征是用计时钟脉冲数的办法来实现移相，该数字触发器的时钟脉冲振荡器是一种电压控制的振荡器，输出脉冲频率受α移相控制电压Vk的控制，Vk降低，则振荡频率升高，而计数器的记数量是固定的(256)，计数器脉冲频率高，意味着记一定脉冲数所需要的时间短，也即延时时间短，α角小，反之α角大。计数器开始计数时刻同样受同步信号控制，在α= 0°时开始计数。

现假设在某Vk值时，根据压控振荡器的控制电压与频率间的关系确定输出振荡频率为25KHZ，则在计数到256个脉冲所需要的时间为(1/25000)×256=10.2(ms),相当于180°电角度，该触发器的计数清零脉冲在同步电压(线电压)的30°处，这相当于三相全控桥式整流电路的β=30°位置，从清零脉冲起，延时10.2 ms产生输出脉冲，也即接近于三相桥式整流电路某一相晶闸管α=150°位置，如果需要得到准确的α=150°触发脉冲，可以略微调节一下电位器W4。显然，有三套相同的触发电路，而压控振荡器和Uk控制电压为公用，这样在一个周期中产生6个相位差60°的触发脉冲。

数字触发器的优点是工作稳定，特别是用HTL或CMOS数字集成电路，可以有很强的抗干扰能力。

IC16A及其周围电路构成电压--频率转换器，其输出信号的周期随调节器的输出电压VK而线性变化。这里W4微调电位器是最低输出频率调节(相当于模拟电路锯齿波幅值调节)。

可控硅中频电源工作程序

由交流→直流→交流，负载采用并联谐振(双供电)，串、并联谐振(单供电)。

可控硅中频电源常见问题

可控硅电源

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率...

可控硅稳压电源的原理是什么

可控硅稳压电源、这种这种稳压电源结构简单，价格低廉，但可靠性差。因为它是靠碳刷的移动（滑动或滚动）来稳压的，如图2所示。控制电路根据输出设定的情况，来控制M点上下移动，以使输出电压符合负载的要求。这种...

可控硅稳压电源的原理是什么？

可控硅稳压电源的原理： 可控硅直流稳压电源，以其强大的输出功率，晶体管线性直流电源和开关电源无法取代。晶体管线性直流电源以其精度高，性能优越而被广泛应用。开关电源因省去了笨重的工频变压器而使体积和重量...

可控硅电源输出抖动是什么原因？

发抖是电压不稳定的表现。最大的可能是两个单向可控硅导通角差别太大。做好隔离、安全措施，用示波器看看输出波形，跟别的正常的，对比一下，你就会知道问题出在哪里。

可控硅 调压

用图中电路控制100—300W的电阻丝，不需要做什么改动，而如果电阻丝的功率上限达到1000W，则应将双向可控硅SCR改为10A/600V，其触发电路中的电阻和电位器的取值可经实验确定，一般R...

可控硅分类

可控硅(晶闸管)原理图及可控硅工作原理分析

可控硅(晶闸管)原理图

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201608/295448.htm可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。

从可控硅的内部分析工作过程：

可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2

当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

可控硅的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：

Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

若门极电流为Ig,则可控硅阴极电流为Ik=Ia+Ig

从而可以得出可控硅阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式

硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。

当可控硅承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式(1—1)中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时，式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。可控硅已处于正向导通状态。

式(1—1)中，在可控硅导通后，1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,可控硅仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。

在可控硅导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-(a1+a2)≈0时，可控硅恢复阻断状态。

可控硅特性

备注：数据仅供参考，不作为投资依据。