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单晶定向仪

发布时间:2018-06-19 19:36 作者:互联网 来源:
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单晶定向仪基本信息单晶定向仪是一种用于测定水晶、硅锗单晶、激光晶体等各种单晶材料几何表面与内部某一晶面间角度的仪器,它包括有X射线管、管套、风冷电机、被测晶体、计数器、放大器、数显器、电表、稳压器、控

单晶定向仪基本信息

单晶定向仪是一种用于测定水晶、单晶、激光晶体等各种单晶材料几何表面与内部某一晶面间角度的仪器,它包括有X射线管、管套、风冷电机、被测晶体、计数器、放大器、数显器、电表稳压器控制器、高压发生器、高压电缆、吸等组成,其主要技术特点是它的测量光路由X射线管、单色器、被测晶体到计数器组成,其单色器为具有一定晶面切角的水晶片。本单晶定向仪用单色器将初级X射线进行单色化,选取了单一波长的X射线来检测被测晶体的晶面角度,因而大大提高了测量精度,可达到±15″档次,实现了高精度的测量。

X射线晶体定向仪利用X射线衍射原理,精密快速地测定天然和人造单晶(压电晶体,光学晶体,激光晶体,半导体晶体)的切割角度,与切割机配套可用于上述晶体的定向切割,是精密加工制造晶体器件不可缺少的仪器.该仪器广泛应用于晶体材料的研究,加工,制造行业。

单晶定向仪造价信息

市场价 信息价 询价

单晶定向仪常见问题

单晶硅价格

你说的是单晶硅片的价格还是硅棒的价格。硅片大概是14.~16元。一般很少有卖硅棒的。基本上都是自己切片或者是找厂家代切。目前行业市场不是很好。多挣点是点。呵呵

索佳全站仪坐标测量时测站定向、后视定向后测出来的坐标怎么不准确的?

你要看看EDM测量参数是否正确,比如当时的温度,全站仪的测距模式(精测模式、速测模式、免棱镜模式),棱镜常数(圆棱镜、mini棱镜、反射片)等。你只是平面定位测量、放线的话,没必要输入仪器高、棱镜高

定向井的定向井的基本应用

油田埋藏在高山、城、森林、沼泽海洋、湖泊、河流等地貌复杂的地下,或井场设置和搬家安装碰到障碍时,通常在他们附近钻定向井。 用直井难以穿过的复杂层、盐丘和断层等,常采用定向井。如:安718段块的井漏、...

定向井的定向井基本分类

随着定向钻井技术的发展,定向井的种类越来越多。 Ⅰ两维定向井:井眼轴线在某个垂平面上变化的定向井,井斜变化,方位不变化。Ⅱ三维定向井:井眼轴线在三维空间变化的定向井,井斜变化,方位变化。可分为:三维...

非定向开挖

还是按定额套吧:用10市政定额:6-588,“水平定向钻牵引管道 管径200mm以内”,材料单价换算。

单晶炉定义

单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。

单晶定义

单晶铜因消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的综合性能: 卓越的电学和信号传输性能,良好的塑性加工性能;优良的抗腐蚀性能;显著的抗疲劳性能;减少了偏析气孔缩孔、压杂等铸造缺陷;光亮的表面质量;因而主要用于国防高技术、民用电子、通讯以及网络等领域。

单晶铜,是经过"高温铸模式连续铸造法"所制造的导体技术,因为铸造过程经过特殊加热处理,所以可以获得单结晶状铜导体,每一结晶可以延伸数百米以上,在实际应用之长度上结晶粒仅有一个,并没有所谓"晶粒界面"存在,在讯号传讯时,无需透过晶粒与晶粒之间的"晶界",讯号更易于穿透与传导,因此损耗极低,堪称是相当完美的线材。其物理性能接近白银

准单晶其他信息

单晶硅电池虽然具备晶体缺陷少、织结构工艺反射率低、机械强度高等优势,但其成本较高、光衰严重、电耗也高。多晶硅电池较单晶硅电池相比能耗少、衰减低、成本低,不过转换效率较差。直拉单晶和准单晶铸锭对比:

1.直拉单晶方法生产的单晶硅制造的太阳能电池最高转换效率为18.5%,采用准单晶铸锭生产的硅材料所制造的太阳能电池转换效率为18.3%;

2.直拉单晶硅每炉的投料约为100 公斤,准单晶硅铸锭炉的单次投料达到430 公斤,投料量增加为前者的四倍;

3.基于直拉单晶硅材料生产的电池片的衰减率为2%以上,基于准单晶铸锭所生产的电池片衰减率降低至0.5%以下,并且性能更稳定;

4.通过直拉法生产的单晶硅棒为圆柱形,制作太阳能电池片时需要将四周切掉,所有硅料利用率仅由50%左右,而准单晶铸锭法生产的方形单晶硅锭为方形,所以硅料利用率可以提升至65%;

5.工艺成本上,直拉单晶成本为160 元人民币/公斤,准单晶铸锭的成本仅为60 人民币/公斤,因此可以影响整个生产链的生产成本降低10%左右。

准单晶硅铸锭技术和普通多晶技术相比有如下优势:

1.电池片效率高,大晶粒硅片(100)面积大于70%,平均效率大于17.6%,较同条线普通多晶硅高出1.0%~1.3%;

2.制绒后可在表面得到焰光作用较好的字塔结构,减少反射率;

3.整锭平均效率较常规锭高出0.5%~1.0%。

四,准单晶研发与量产的决定性因素

1.准单晶技术研发要点

(1)温度梯度改进。针对热场研发以改良温度梯度,同时还要注意热场保护;

(2)晶种制备。研究发现,准单晶晶种制备方向将朝着超大超薄的方向发展;

(3)精确熔化控制。这一环节非常难以控制,它决定准单晶是否能够稳定生产,因此需要一个与之对应的精准熔化控制设备。据了解,为获得稳定的控制工艺,凤凰光伏开发了一套针对准单晶专用的晶种融化控制设备,可以在0.5mm 的时候进入长晶阶段;

(4)位错密度。在很多生产过程中,效率衰减总是不可避免,为此把位错密度控制到最低,是此项工艺的关键;

(5)边角多晶控制,即合理有效控制边角多晶的比例;

(6)铸锭良率提升。目前良率大约在40%~60%之间,还有待提高。

2.准单晶量产决定性因素

(1)可行的工艺路线。如果开发出的准单晶没有可行的工艺路线,准单晶产品将只能处于实验室阶段;

(2)是稳定的控制方法;

(3)精准熔化控制设备;

(4)低廉的改造成本及生产成本,即在原有铸锭炉的基础上实现转型,从而降低成本。

五,工艺流程

将直拉法得到的(100)晶向单晶棒进行开方,得到断面尺寸为156×156mm 的方柱,将其切成40~50mm 厚的块状籽晶。将25 块籽晶按5×5 的方式紧密排列平铺在内部尺寸为840×840×400mm 的标准坩埚内。在坩埚底部,放置时尽量使籽晶居中,即周边籽晶的最边沿面距坩埚内壁尺寸相近。籽晶上面再放置原生多晶,包括籽晶在内共装料430kg,掺杂剂为、稼或磷,掺杂后目标晶体的电阻率为1.50~2.0Ω.cm。装料后抽真空,控制功率进行加热;进入熔化阶段后,采用温度控制分段加温,到熔化最后一步将加热器控制温度调节至1540℃,保持至籽晶熔化阶段,待坩埚底部温度为1350℃,且底部升温速率为0.07℃/min 上下时,结束熔化步骤,跳转至长晶阶段。进入长晶阶段,快速将温度由1540℃降至1440℃,并关闭隔热板(笼)保持1h,之后将隔热板(笼)快速打开5cm,底部散热实现定向凝固,待界面生长平稳后,再分段将温度降1415℃,隔热板(笼)打开速度先后按0.5cm/h、0.7cm/h 的速度打开至20cm,达到稳定长晶。

将上述长成后的硅晶体,经退火冷却得到硅锭。


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